view:25992 Last Update: 2024-8-2
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 28.
سمیه غلامی رودی, سمانه سلیمانی, نیره قبادی Prediction of Janus XYSTe (X=Li, Na; Y=Al, Ga, In) monolayers with tunable Rashba effect for spintronic devices MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Issue 186 (2025-02-01) PP. 109087-1-109087-12
|
نشریه علمی لیست وزارتین نمایه شده در ISC | 27.
سمیه غلامی رودی, نیره قبادی, سمانه سلیمانی Two-dimensional XMoSiP2/BP (X= S, Se) Heterostructures as Efficient Photocatalysts for Overall Water Splitting مدلسازی در مهندسی - دانشگاه سمنان شماره 22 (1403/08/01) صفحات 123-140
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 26.
نیره قبادی, سمیه غلامی رودی, سمانه سلیمانی First-Principles Investigation of Janus MgZnXY (X, Y = O, S, Se, Te; X ≠ Y) Monolayers for Short-Channel Field Effect Transistor ACS Applied Nano Materials شماره 7 (1403/06/22) صفحات 21747-21756
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 25.
سمانه سلیمانی, نیره قبادی, سمیه غلامی رودی Janus XMPYS (X=Se, Te; M=Mo, W; Y=Al, Ga) monolayers with enhanced spintronic properties and boosted solar-to-hydrogen efficiency for photocatalytic water splitting INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY Issue 72 (2024-06-27) PP. 506-520
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 24.
نیره قبادی, سمیه غلامی رودی, سمانه سلیمانی Two-dimensional type-II XMoSiP2/BAs (X= S, Se) van der Waals heterostructures for highly efficient excitonic solar cells SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS Issue 269 (2024-06-15) PP. 112773-1-112773-14
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 23.
نیره قبادی, امیرحسین رضاوند, سمانه سلیمانی, سمیه غلامی رودی Surface-functionalization induced spintronic and photocatalytic features in group-III monochalcogenide monolayers: A first-principles study APPLIED SURFACE SCIENCE Issue 639 (2023-12-01) PP. 158278-1-158278-14
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 22.
سمیه غلامی رودی, سمانه سلیمانی, امیرحسین رضاوند, نیره قبادی Enhanced performance of Janus XMSiY2 (X=S, Se; M=Mo, W; and Y=N, P) monolayers for photocatalytic water splitting via strain engineering JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS Issue 181 (2023-10-15) PP. 111561-1-111561-12
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 21.
سمانه سلیمانی, نیره قبادی, امیرحسین رضاوند, سمیه غلامی رودی First-principles prediction of two-dimensional Janus XMInZ2(X = Cl, Br, I;M = Mg, Ca; and Z = S, Se, and Te) with promising spintronic and photocatalytic properties APPLIED SURFACE SCIENCE Issue 623 (2023-06-30) PP. 157020-1-157020-13
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 20.
نیره قبادی, سمیه غلامی رودی, سمانه سلیمانی Electronic, spintronic, and piezoelectric properties of new Janus Zn A X Y ( A = Si , Ge , Sn , and X , Y = S , Se , Te ) monolayers PHYSICAL REVIEW B شماره 107 (1401/12/09) صفحات 075443-1-075443-12
|
نشریه علمی لیست وزارتین نمایه شده در ISC | 19.
نیره قبادی Investigation of Electronic Properties and Interlayer Current Characteristics of Janus two-dimensional MoSi2PmAsn and MoSi2AsmSbn مدلسازی در مهندسی - دانشگاه سمنان شماره 20 (1401/10/01) صفحات 1-20
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 18.
امیرحسین رضاوند, نیره قبادی First-principle study on quintuple-atomic-layer Janus MTeSiX2 (M= Mo, W; X=N, P, As) monolayers with intrinsic Rashba spin-splitting and Mexican hat dispersion MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Issue 152 (2022-12-01) PP. 107061-1-107061-11
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 17.
امیرحسین رضاوند, نیره قبادی, بهناز به نام قادر Electronic and spintronic properties of Janus MSi2PxAsy (M = Mo,W) monolayers PHYSICAL REVIEW B شماره 106 (1401/04/30) صفحات 035417-1-035417-10
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 16.
امیرحسین رضاوند, نیره قبادی Tuning the Rashba spin splitting in Janus MoSeTe and WSeTe van der Waals heterostructures by vertical strain JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS Issue 544 (2022-02-15) PP. 168721-1-168721-8
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 15.
نیره قبادی, منوچهر حسینی, شعیب بابایی توسکی Field-Effect Transistor Based on MoSi2N4 and WSi2N4 Monolayers Under Biaxial Strain: A Computational Study of the Electronic Properties IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Issue 69 (2022-01-10) PP. 863-869
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 14.
شعیب بابایی توسکی, نیره قبادی Vertical strain-induced modification of the electrical and spin properties of monolayer MoSi2X4 (X = N, P, As and Sb) JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Issue 54 (2021-09-03) PP. 485302-1-485302-10
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 13.
امیرحسین رضاوند, نیره قبادی Stacking-dependent Rashba spin-splitting in Janus bilayer transition metal dichalcogenides: The role of in-plane strain and out-of-plane electric field PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES Issue 132 (2021-08-15) PP. 114768-1-114768-8
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 12.
نیره قبادی, شعیب بابایی توسکی Structural, electrical and optical properties of bilayer SiX (X = N, P, As and Sb) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER Issue 33 (2021-06-02) PP. 285502-1-285502-10
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 11.
شعیب بابایی توسکی, نیره قبادی Structural, electrical, and Rashba properties of monolayer Janus Si2XY (X,Y =P, As, Sb, and Bi) PHYSICAL REVIEW B شماره 103 (1400/01/19) صفحات 165404-1-165404-8
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 10.
شعیب بابایی توسکی, نیره قبادی Interplay between stacking order and in-plane strain on the electrical properties of bilayer antimonene PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES Issue 126 (2021-02-01) PP. 114407-1-114407-6
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 9.
نیره قبادی, شعیب بابایی توسکی The electrical and spin properties of monolayer and bilayer Janus HfSSe under vertical electrical field JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER Issue 33 (2020-12-04) PP. 085502-1-085502-8
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 8.
مهدی شامخی, نیره قبادی Band structure and Schottky barrier modulation in multilayer black phosphorene and black phosphorene/graphene heterostructure through out-of-plane strain PHYSICA B-CONDENSED MATTER Issue 580 (2020-03-01) PP. 411923-1-411923-9
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 7.
نیره قبادی Normal compressive strain-induced modulation of electronic and mechanical properties of multilayer MoS2 and Graphene/MoS2 heterostructure: A first-principles study PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES Issue 111 (2019-07-01) PP. 158-166
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 6.
نیره قبادی A Comparative Study of the Mechanical Properties of Multilayer MoS2 and Graphene/MoS2 Heterostructure : Effects of Temperature, Number of Layers and Stacking Order CURRENT APPLIED PHYSICS Issue 17 (2017-11-01) PP. 1483-1493
|
علمی-پژوهشی ISC (سامانه نشریات علمی جهان اسلام) | 5.
نیره قبادی, علی افضلی کوشا Investigation and Modeling of Negative Bias temperature Instability (NBTI) and Hot Carrier Injection (HCI) Induced Degradation in Multi-Gate Nano-Devices مهندسی برق و الکترونیک ایران - انجمن مهندسین برق--Journal of iranian association of electrical and electronics engineers شماره 12 (1394/07/01) صفحات 1-14
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 4.
نیره قبادی, مهدی پورفتح Vertical Tunneling Graphene Heterostructure-Based Transistor for Pressure Sensing IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Issue 36 (2015-03-02) PP. 280-282
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 3.
نیره قبادی, مهدی پورفتح On the role of disorder on graphene and graphene nanoribbon-based vertical tunneling transistors JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Issue 116 (2014-11-13) PP. 1-8
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 2.
نیره قبادی, مهدی پورفتح A Comparative Study of Tunneling FETs Based on Graphene and GNR Heterostructures IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Issue 61 (2013-12-03) PP. 186-192
|
علمی-پژوهشی ISI-JCR | 1.
نیره قبادی, یاسر عبدی Device characteristics and tight binding based modeling of bilayer graphene field-effect transistor CURRENT APPLIED PHYSICS Issue 13 (2013-03-14) PP. 1082-1089
|
Presentations in Seminars & Conferences | |
بینالمللی |
6. مهدی شامخی, نیره قبادی Elastic properties of Multilayer Phosphorene and Graphene/Phosphorene Heterostructure international Conference on Nanostructures Institute for Nanoscience & Nanotechnology, Sharif University of Technology, تهران, 2018-02-27 - 2018-03-01 |
ملی معتبر |
5. نیره قبادی Molecular Dynamics Simulation of Elastic Properties of Multilayer MoS2 and Graphene/MoS2 Heterostructure Iranian conference on electrical engineering(ICEE) دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی, تهران, 2017-05-02 - 2017-05-04 |
ملی معتبر |
4. نیره قبادی Investigation of Elastic Properties of Multilayer Molybdenum Disulfide under Normal Compressive Stress Conference on Condensed Matter انجمن فیزیک ایران-دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, تهران, 2017-02-01 - 2017-02-02 |
ملی معتبر |
3. نیره قبادی Strain Effect on the Device Characteristics of Vertical Tunneling Graphene Heterostructure-Based Transistor Iranian conference on electrical engineering(ICEE) دانشگاه شیراز, شیراز, 2016-05-10 - 2016-05-12 |
بینالمللی |
2. نیره قبادی, مهدی پورفتح A Computational Study of Line-Edge Roughness in Tunneling FETs Based on GNR Heterostructures International Conference in Nanostructures دانشگاه صنعتی شریف, کیش, 2016-03-07 - 2016-03-10 |
ملی معتبر |
1. نیره قبادی, مهدی پورفتح Numerical Study of Tunneling FETs Based on Vertical Graphene Heterostructures کنفرانس نانو ساختارها Institute for Nanoscience & Nanotechnology (INST), Sharif University of Technology,, کیش, 1392/12/15 - 1392/12/18 |